- جزییاتفهرست مطالب * فصل اول : نيمه هاديها ، اتصالات ، و نگاهي گذرا بر MOSFET * فصل دوم : ساختار دوپايانه اي * فصل سوم : ساختار سه پايانه اي * فصل چهارم : ترانزيستورهاي چهار پايانه اي * فصل پنجم : ترانزيستورهاي MOS داراي كانال كاشت يوني * فصل ششم : آثار ابعاد كوچك * فصل هفتم : عملكرد پوياي ترانز...
- مشخصات كتاب
- نظرات كاربران0
فهرست مطالب * فصل اول : نيمه هاديها ، اتصالات ، و نگاهي گذرا بر MOSFET * فصل دوم : ساختار دوپايانه اي * فصل سوم : ساختار سه پايانه اي * فصل چهارم : ترانزيستورهاي چهار پايانه اي * فصل پنجم : ترانزيستورهاي MOS داراي كانال كاشت يوني * فصل ششم : آثار ابعاد كوچك * فصل هفتم : عملكرد پوياي ترانزيستور MOS مدل سازي سيگنال بزرگ * فصل هشتم : مدلسازي سيگنال كوچك براي فركانس هاي كم و متوسط * فصل نهم : مدل هاي فركانس بالاي سيگنال كوچك * فصل دهم : مدلسازي ترانزيستور MOS براي شبيه سازي مداري *
| نويسنده | يانيس - پي - تيسويديس |
| قطع | وزيري |
| مترجم | مرتضي فتحي پور |
| نوع جلد | شوميز |
| زبان | فارسي |
| تعداد صفحات | 846 |
| نوبت چاپ | 2 |
| ابعاد | 165*235 میلیمتر |
| وزن | 1380 |
| سال چاپ | 1387 |
بررسی محصول برای كتاب عملكرد و مدل سازي ترانزيستور MOS
افزودن نظر شما
تاكنون نظري ثبت نشده است.
محصولات مرتبط
5 %
5 %